90％純度碳納米管水平陣列

材料簡介：開發(fā)出一種利用碳納米管與催化劑對稱性匹配的外延生長的全新方法，通過對碳管成核效率的熱力學(xué)控制和生長速度的動力學(xué)控制，實現(xiàn)了結(jié)構(gòu)為手性指數(shù)（2m,m）類碳納米管陣列的富集生長。

技術(shù)優(yōu)勢：用固體碳化物催化劑能合成出特定結(jié)構(gòu)的碳納米管，理論預(yù)測，這種方法純度可達(dá)99％。

材料應(yīng)用：碳納米管（CNTs）因其優(yōu)越的力學(xué)、電學(xué)和熱學(xué)性能，被認(rèn)為最有潛力取代硅用于下一代微電子器件，相同結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體性碳納米管水平陣列非常適合用來生產(chǎn)碳納米管晶體管。